Transistor
| Category | Concept |
|---|---|
| 栅宽$W$ | $W$越大, 饱和输出功率$P_{Sout}$越大，增益$G$越小 |
| 栅指宽度$w$ | $w$越大，越不利于散热 |
| 栅指数量$N$ | $N$越大，寄生参数越大，阻抗减小，不利于匹配 |
| 功率密度$\rho_P (mW/mm)$ | $\rho_P$是该功率下的最小栅宽总和，否则有负载风险 |
| 工艺角 | tt(Typical Corner), ff(Fast Corner),时间增长，功率下降 ss(Slow Corner), 时间减短，功率增高 |
Layout
| Category | Concept |
|---|---|
| PO | Poly(多晶硅)层 |
| OD | Oxide Diffusion, 有源层 |
| CO | Contact, 金属接触层 |
| CBM | Capacitor Bottom Metal |
| CTM | Capacitor Top Metal |
PA 设计经验
小总结
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相邻走线可以交替M8, M9, 避免耦合|
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连接晶体管的走线一定不要靠在一起!
晶体管版图连接
两个晶体管并联
四个晶体管并联
